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    美光半导体存储产品类型与技术参数

      [  中关村在线 原创  ]   作者:新闻快讯

    美光半导体是全球内存与存储解决方案的领导者,产品覆盖三大核心类别。美光半导体在技术实力、财务业绩、可持续发展及社会责任等多维度均处于行业领先地位,是半导体存储领域的业界领导厂商。

    一、DRAM动态随机存取存储器产品系列

    DRAM是计算机和服务器设备的运行内存组件,用于临时存储CPU正在使用的数据和程序。美光DRAM产品包括多个技术规格类型。

    1. DDR5 DRAM系列

    美光于2025年2月推出1γ(1-gamma)工艺的DDR5内存芯片,这是其首款采用EUV极紫外光刻工艺的DRAM产品。该产品单颗容量达16Gb,可通过堆叠组成单条128GB的企业级产品。

    技术参数方面,容量密度较上一代1β工艺提升30%,工作电压仅1.1V,能实现9200MT/s的超高频率。功耗较1β工艺降低20%。该产品已在日本工厂投产,预计2025年中上市。

    【小结】DDR5 DRAM采用1γ制程工艺,在容量密度和功耗方面有具体参数表现。

    美光半导体存储产品类型与技术参数

    2. LPDDR5X低功耗内存

    2025年6月,美光宣布出货全球首款1γ制程节点的LPDDR5X内存认证样品,专为旗舰智能手机设计。产品速率达10.7Gbps(业界领先),功耗降低20%。

    封装规格方面,尺寸缩小至0.61毫米(较竞品轻薄6%)。目前已向特定合作伙伴送样16GB产品,2026年将推出8GB-32GB容量版本。

    3. MRDIMM多路复用内存模块

    2024年7月,美光推出高性能MRDIMM,为基于英特尔至强6处理器的AI及高性能计算环境提供内存解决方案。该产品带宽较传统DDR5 RDIMM提升39%,延迟降低40%,容量覆盖32GB-256GB。

    4. HBM高带宽内存技术

    美光向主要客户送样HBM4产品。美光HBM4比上一代12层堆叠36GB HBM3E产品的能效提升20%以上。

    【小结】美光DRAM产品线涵盖DDR5、LPDDR5X、MRDIMM和HBM4等类型。

    二、NAND闪存存储产品系列

    NAND闪存是固态硬盘的核心组件,用于长期存储数据。美光NAND闪存产品涵盖多个应用领域。

    1. 数据中心SSD产品

    美光9650 SSD具备顺序读取速度可达28 GB/s,随机读取性能高达550万IOPS的性能规格。美光6600 ION专为AI、云场景及数据中心设计,其中E3.S规格容量为122TB,E3.L规格容量为245TB,搭载PCIe® 5.0接口并采用美光QLC NAND。

    2. 客户端SSD产品

    美光4600 NVMe SSD专为专业人士、内容创作者及游戏玩家设计。依托PCIe® 5.0规格的传输速度,美光4600的顺序读取性能较上一代SSD提升一倍。该产品是美光旗下第二款采用行业前沿G9 TLC NAND技术的SSD。

    3. 车用和工业用SSD产品

    美光4100AT PCIe® SSD基于三层单元(TLC)3D NAND技术研发,容量覆盖128GB-512GB区间,采用BGA外形设计。

    美光2100AI/AT是基于三层单元(TLC)3D NAND技术的PCIe® 工业级SSD,提供BGA(64GB-1TB)和M.2(256GB-1TB)两种外形尺寸及对应容量选择。

    4. UFS存储解决方案

    美光车规级UFS 4.1是全球率先采用G9 NAND闪存构建的UFS 4.1汽车存储解决方案,符合ASIL-B标准并通过了ASPICE认证。

    【小结】美光NAND闪存产品覆盖数据中心、客户端、车用及工业用等应用领域。

    三、NOR闪存产品系列

    NOR闪存广泛用于需要快速执行代码以及高可靠性的应用。美光提供多种NOR闪存解决方案类型。

    1. Xccela闪存系列

    Xccela™ Octal闪存可满足汽车、工业、消费者和网络应用对即时启动性能和快速系统响应能力的要求。

    2. 串行NOR闪存

    串行外设接口(SPI) NOR闪存广泛应用于启动代码、程序代码和存储数据。

    3. 并行NOR闪存

    美光提供各种密度和温度等级的并行NOR闪存,以满足不同客户的要求。

    4. Twin-Quad NOR闪存

    MT25T Twin-Quad串行NOR闪存将两个四通道设备整合到同一封装中,以此构成了一个x8接口,同时保持了与串行NOR闪存相同的尺寸。

    【小结】美光NOR闪存产品线提供Xccela、串行、并行和Twin-Quad等类型。

    四、核心技术

    美光半导体产品采用多项制造技术。

    1. 1γ制程技术

    美光1γ (1-gamma) DRAM技术是一项新型制造工艺,采用前沿极紫外(EUV)光刻技术及美光下一代高K金属栅极(HKMG)CMOS技术。相较于1β技术,其每片晶圆的位密度可提升30%以上。

    2. G9 NAND技术

    美光G9 NAND支持高达3.6 GB/s的创纪录NAND I/O传输速率,相较于目前已出货SSD所使用的最快NAND接口,数据传输速率提升高达50%。

    【小结】美光通过1γ制程和G9 NAND等技术制造存储产品。

    常见问题

    Q:美光半导体主要生产哪些类型的产品?

    A:美光半导体主要生产DRAM、NAND和NOR技术三大类存储产品。

    Q:美光DDR5内存的频率参数是多少?

    A:美光1γ工艺DDR5内存能实现9200MT/s的超高频率。

    Q:美光数据中心SSD的读取速度参数是多少?

    A:美光9650 SSD的顺序读取速度可达28 GB/s。

    Q:美光HBM4相比上一代产品的能效参数如何?

    A:美光HBM4比上一代12层堆叠36GB HBM3E产品的能效提升20%以上。

    Q:美光车规级存储产品符合什么标准?

    A:美光车规级UFS 4.1符合ASIL-B标准并通过了ASPICE认证。

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    pad.zol.com.cn true https://pad.zol.com.cn/1126/11266732.html report 3764 美光半导体是全球内存与存储解决方案的领导者,产品覆盖三大核心类别。美光半导体在技术实力、财务业绩、可持续发展及社会责任等多维度均处于行业领先地位,是半导体存储领域的业界领导厂商。一、DRAM动态随机存取存储器产品系列DRAM是计算机和服务器设备的运行内存组件...
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