相比笔者在前面的两家巨头型企业，高通方面则更专注于移动处理芯片的研发工作，其在这一领域的资历较前两者也要深厚许多。与英伟达的做法相同，在此次CES 2013大展开展之前高通也没有向外界透露太多关于其下一代移动处理芯片的消息,好在高通在新品发布会上准备了足够多的内容来满足我们的好奇心.

    为了继续巩固中低端移动芯片市场中的主导地位,高通在此次CES 2013大展上除了一口气拿出四个全新的骁龙系列处理器之外，还在上一代的骁龙 S4产品线上增添了两位新成员,由于高端型号全面被新处理器所替代,所以这两款新产品便起到了承上启下的过度作用.那么我们下面就来看看高通在本届CES 2013展会上都为我们带来了什么新东西吧。

CES 2013 高通发布会上绝对的主角——骁龙 800系列处理芯片

四个按需求划分的高通骁龙处理器产品线（图片来自高通）

    作为发布会上备受关注的产品,高通拿出了新的四个系列的骁龙处理器，按照性能从高到低的排序分别是800、600、400、200系列，我们今天介绍的主要是其中的高端型号骁龙 800和骁龙 600。这两款处理器型号也分别对应了高通的新一代骁龙Krait 400/300处理器架构。

■依旧沿用Krait/金环蛇架构

全新的骁龙 X00系列处理芯片依旧改进的Krait（金环蛇）架构

    Krait(金环蛇)是高通自主研发的处理器架构，它兼容ARMv7指令集，通常我们认为，Krait的实际性能表现介于ARM Cortex-A9与A15之间。面对三星、英伟达等竞争对手所采用的新一代Cortex-A15架构处理器，Krait急需一次跨越式的升级，那么Krait 300和Krait 400架构就是这种情况下应运而生的产物。

    由于此次高通为我们带来的更多的是初级的芯片原型,没有像英伟达那样拿出了最终的产品以及新的技术，所以我们此次还是来更详细的了解一下它所展示的这几款芯片吧。

■Snapdragon 600系列/Krait 300

    从严格意义来讲，Krait 300是初代Krait架构的升级，它依然使用台积电28nm LP工艺制造，经过一些底层优化，使用Krait 300架构的处理器核心频率可以从之前的1.5GHz提升至现在的1.9GHz，足以媲美英伟达的Tegra 4处理芯片。核心架构方面，Krait 300的改进主要集中在三个方面：改进分支预测模块、添加乱序执行引擎，以及更好的浮点计算能力。

    在初代Krait的时候，处理器的二级缓存是没有硬件预取功能的，而Krait 300则添加了这项功能，现在二级缓存可以快速从主内存中获取数据，而且分支预测精度更高，有效的提升了数据在总线中传输效率。另外由于Krait 300没有增加流水线长度，更高的分支预测意味着更高的IPC(指令并发性能)，以及更好的指令执行能效，也就意味着单位时间内可以被处理的数据总量得到了提升。

取代上一代旗舰的骁龙 600系列芯片

    乱序执行功能其实早在Cortex-A9时代就已经被引入，不过这是ARM为Cortex-A9架构处理器所设计的一个选配功能，大部分有自主设计研发能力的厂商都没有选用它(国产的瑞芯微RK3066有选装这个模块)，现在Krait 300把乱序执行也加了进来，如果消息属实，那么Krait 300的单线程性能会得到较大的提升。最后，Krait 300还改进了浮点处理单元(FloatPoint)，JavaScript性能也有不错的进步，不过高通尚未公布这项改进的细节。

    综合而言，Krait 300在同频下会比现有的老Krait提升15%，考虑到Krait 300的频率更高，这个优势可能会被放大到20-30%，这个幅度依然无法对抗Cortex A15，但高通认为Krait 300的功耗会大大低于Cortex A15处理器，在讲究能耗比的主流智能手机中，Krait 300很有希望占得先机。

■Snapdragon 800系列/Krait 400

    如果说前面所提到的Krait 300是面向主流市场的走量产品，那么进阶的Krait 400架构就是高通用来直接对抗Tegra 4以及Exynos 5系列处理器的利器了。Krait 400实际上是Krait 300的进一步改进版本，它的主要改进就是使用更先进的台积电28nm HPM工艺制造(NV Tegra 4使用的也是这种工艺)，最高频率一下子飙升到了2.3GHz。

高通展台上展示的采用骁龙 800系列处理芯片的平板电脑

    在Krait 300的基础上，Krait 400进一步改进了内存控制器，它的内存延迟更小，另外Krait 400使用了频率更高的二级缓存。高通声称，当把这些改进集中到一起时可以带来最多30%-40%的性能提升。

网格线的画面渲染示意图

　　坦白地讲，这个性能的提升幅度面对四核甚至是双核Cortex-A15处理器肯定是不够的，特别是现在还多了一个新的劲敌——Intel Atom Z系列处理器，Krait 400很有可能是Krait家族里所面临挑战最严峻的一款产品。在今年下半年开始，Krait 400将直面三星和NV两巨头的A15处理器风暴，我们只能祝它好运了。

■台积电 28nm HPM 制造工艺

    在这里笔者插入一个关于台积电 28nm HPM制造工艺的简介，相信很多网友看到这里都会有疑问：高通骁龙 800/Krait、英伟达 Tegra 4所使用的台积电 28nm HPM工艺与三星 Exynos 5系列处理器所使用32nm HKMG工艺相比谁更好一些。

Krait 400采用台积电 28nm HPM制造工艺（图片来自台积电）

    首先笔者先要说明的是，HKMG技术是通用的晶体管制造技术，目的是为了减少栅极上附着的绝缘层物质的厚度，虽然不同的代工厂实现的方法不同，但是三星以及台积电已经都具备了这项技术。其中上图中所列出的台积电 28nm HP/HPL/HPM工艺均使用了HKMG技术，使用HKMG工艺的目的是让单位面积大小的硅芯片上布置更多的晶体管。

    这样看来，虽然三星与高通在HKMG技术的实现方法可能有所不同，但是台积电的28nm在量级上肯定是要略优于三星的32nm工艺，除此之外我们还看到了台积电28nm工艺的后面还有一个HPM的后缀，这个后缀代表了它的制造标准。HPM的出现是为了保证使用HKMG制造工艺后，在晶体管密度的上升时，依旧能够像采用LP标准时一样抑制漏电率的上升，这样也就能够保证运行速度的提高，所以我们能够发现高通的骁龙 800/Krait 400系列芯片的核心频率是要高于三星的Exynos 5系列芯片的。

■新骁龙旗舰 MSM8974

　　把Krait 300、Krait 400处理器架构和新的图形处理器、基带芯片集成到一起，制成商品，就成为了新的骁龙800/600系列处理器。

　　高通今天一口气发布了4大系列的骁龙处理器，从高到低分别是800、600、400、200系列，我们今天要介绍的主要是骁龙800和骁龙600。

第一季度即将上市的旗舰型号MSM8974（图片来自高通）

    骁龙 800系列处理器在高通内部被称为MSM8974，它拥有四个Krait 400内核，搭载高通第三代LTE基带芯片(9x25)，以及最新的Adreno 330图形处理核心，高通方面声称Adreno 330 GPU比上一代Adreno 320 GPU的处理速度快两倍。内存依然是双通道LPDDR3，不过频率可升至800MHz，带宽高达12.8Gbps。骁龙 800系列处理器对比上一代骁龙 S4 Pro，性能提升最高可达75%。

    骁龙 800系列芯片主要面向高端和旗舰移动设备市场，高分辨率平板电脑、Chromebook笔记本、乃至各种4K超高清电视都是它的涉猎目标。除了骁龙 800系列处理芯片之外，别忘了还有骁龙 600系列芯片的存在，它是高通面向主流市场的产品，代号APQ8064T。

    作为骁龙 600系列处理器中的主力型号，APQ8064T拥有四个Krait 300内核，同样搭配高通第三代LTE基带芯片(9x25)，显示芯片是较为低端的Adreno 320，内存带宽方面也有缩水，与骁龙800比自然是弱了些，但也能轻易击败现有的骁龙S4 Pro(APQ8064)。骁龙 600系列处理器主打中高端手机和平板电脑，我们将会在2013年第二季度看到搭载这款处理器的产品出现。